Renesas Electronics America HAT2201R-EL-E
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HAT2201R-EL-E
2038-HAT2201R-EL-E
集成电路(IC)
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大陆
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Nch Single Power Mosfet 100V 6A 43Mohm Sop8
1最小包装量--
HAT2201R-EL-E详情
Renesas Electronics America HAT2201R-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HAT2201R-EL-E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
SOP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Manufacturer Package Code
PRSP0008DD-D8
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
6 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
20
JESD-609代码
e4
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍钯金
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
漏极-源极导通最大电阻
0.049 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
HAT2201R-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America
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