Renesas Electronics America HAT2210RWS-E
- 收藏
- 对比
HAT2210RWS-E
2038-HAT2210RWS-E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N-PAK 8SOP
1最小包装量--
HAT2210RWS-E详情
Renesas Electronics America HAT2210RWS-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Ta 8A Ta
操作温度
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1.5W Ta
场效应管类型
2 N-Channel (Dual), Schottky
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 3.75A, 10V, 22m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 10V 1330pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HAT2210RWS-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc








哦! 它是空的。