Renesas Electronics America HAT2267H-EL-E
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HAT2267H-EL-E
2038-HAT2267H-EL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
--最小包装量--
HAT2267H-EL-E详情
Renesas Electronics America HAT2267H-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
35 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
已出版
2005
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
80V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
25A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 12.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2150pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
25A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
HAT2267H-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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