Renesas Electronics America HS54095TZ-E

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

750mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.5 Ω @ 100mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

66pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

DS 击穿电压-最小值

600V

RoHS状态

ROHS3 Compliant