Renesas Electronics America HS9-3530AEH-Q
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HS9-3530AEH-Q
2038-HS9-3530AEH-Q
集成电路(IC)
--
大陆
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$ Radiation performance $$ Single event latch-up: Immune (RSG DI Process) $$ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 300krad(Si) $$ Low dose rate (0.01rad
1最小包装量--
HS9-3530AEH-Q详情
Renesas Electronics America HS9-3530AEH-Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
表面安装
YES
终端数量
10
Manufacturer Part Number
HS9-3530AEH-Q
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Package Description
DFP, FL10,.3
Risk Rank
5.89
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DFP
Package Equivalence Code
FL10,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLATPACK
Usage Level
Military grade
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-XDFP-F10
资历状况
不合格
电源
+-3/+-15 V
温度等级
MILITARY
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
低偏移
NO
频率补偿
YES
电源电压限制-最大值
20 V
微功率
YES
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.1 µA
可编程电源
YES
筛选水平
38535V;38534K;883S
输入失调电压-最大值
5000 µV
电压增益 - 最小值
10000
压摆率-Min
0.01 V/us
总剂量
300k Rad(Si) V
HS9-3530AEH-Q拓展信息
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