Renesas Electronics America IDT7164L85DB

表面安装

NO

终端数量

28

Manufacturer Part Number

IDT7164L85DB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Package Code

DIP

Package Description

DIP, DIP28,.6

Risk Rank

5.35

Access Time-Max

85 ns

Number of Words

8192 words

Number of Words Code

8000

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Reflow Temperature-Max (s)

20

RoHS

Non-Compliant

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

28

JESD-30代码

R-CDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.12 mA

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0002 A

记忆密度

65536 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

YES

长度

37.211 mm

宽度

15.24 mm