Renesas Electronics America IRF4905S
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IRF4905S
2038-IRF4905S
集成电路(IC)
--
大陆
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MOSFET Transistor, P-Channel, TO-263AB
1最小包装量--
IRF4905S详情
Renesas Electronics America IRF4905S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRF4905S
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
D2PAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
3.7
Drain Current-Max (ID)
64 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
64 A
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
260 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
930 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
环境耗散-最大值
150 W
IRF4905S拓展信息
Renesas Electronics America
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