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Renesas Electronics America IRF822R

Name: IRF822R
Brand: Renesas Electronics America
SKU: 2038-IRF822R
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF822R

品牌

Renesas Electronics America

utmel 编号

2038-IRF822R

商品类别

集成电路（IC）

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF822R Renesas Electronics America Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF822R详情

技术参数

Renesas Electronics America IRF822R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Manufacturer Part Number

IRF822R
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank

5.27
Drain Current-Max (ID)

2 A
Moisture Sensitivity Levels

未说明
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

COMMERCIAL
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7 A
DS 击穿电压-最小值

500 V
雪崩能量等级（Eas）

210 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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