Renesas Electronics America N0300N-T1B-AT
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N0300N-T1B-AT
2038-N0300N-T1B-AT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
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MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96-3
1最小包装量--
N0300N-T1B-AT详情
Renesas Electronics America N0300N-T1B-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
操作温度
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.083Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
N0300N-T1B-AT拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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