Renesas Electronics America N0300P-T1B-AT
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N0300P-T1B-AT
2038-N0300P-T1B-AT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR
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N0300P-T1B-AT详情
Renesas Electronics America N0300P-T1B-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
供应商未定义
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.105Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.25W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
N0300P-T1B-AT拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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