Renesas Electronics America NE3503M04-T2B-A
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NE3503M04-T2B-A
2038-NE3503M04-T2B-A
集成电路(IC)
4-SMD, Flat Leads
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Rf Small Signal Transistor Hfet
1最小包装量--
NE3503M04-T2B-A详情
Renesas Electronics America NE3503M04-T2B-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
供应商器件包装
M04
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Risk Rank
5.26
Drain Current-Max (ID)
0.015 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
NE3503M04-T2B-A
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
4 V
系列
-
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
额定电流
70mA
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
12GHz
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
测试电流
10 mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
HFET
增益
12dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.07 A
DS 击穿电压-最小值
3 V
功率 - 输出
-
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
噪声图
0.45dB
电压-测试
2 V
最高频段
Ku波段
环境耗散-最大值
0.125 W
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
NE3503M04-T2B-A拓展信息
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