Renesas Electronics America NP40N10PDF-E1-AY

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 120W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

61 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant