Renesas Electronics America NP40N10VDF-E2-AY
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NP40N10VDF-E2-AY
2038-NP40N10VDF-E2-AY
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR
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NP40N10VDF-E2-AY详情
Renesas Electronics America NP40N10VDF-E2-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
供应商未定义
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
漏极-源极导通最大电阻
0.037Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
61 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.2W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NP40N10VDF-E2-AY拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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