Renesas Electronics America R1LP5256ESP-5SI#B0
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R1LP5256ESP-5SI#B0
2038-R1LP5256ESP-5SI#B0
存储器
28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
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立即发货

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
--最小包装量--
R1LP5256ESP-5SI#B0详情
Renesas Electronics America R1LP5256ESP-5SI#B0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
引脚数
28
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
35mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
28
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
电压 - 供电
5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
频率
1MHz
基本部件号
R1LP5256E
电源
5V
内存大小
256Kb 32K x 8
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
15b
密度
256 kb
待机电流-最大值
0.000002A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
R1LP5256ESP-5SI#B0拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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