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Renesas Electronics America R1WV6416RSD-5SI#S0

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型号

R1WV6416RSD-5SI#S0

utmel 编号

2038-R1WV6416RSD-5SI#S0

商品类别

存储器

封装

52-TFSOP (0.350, 8.89mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3V 64M-Bit 8M/4M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R

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R1WV6416RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America SRAM Chip Async Single 3V 64M-Bit 8M/4M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R

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R1WV6416RSD-5SI#S0详情

Renesas Electronics America R1WV6416RSD-5SI#S0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    52-TFSOP (0.350, 8.89mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    52

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    52

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 端子间距

    0.4mm

  • 引脚数量

    52

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    3V

  • 内存大小

    64Mb 8M x 8 4M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.06mA

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    55ns

  • 密度

    64 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.000024A

  • 访问时间(最大)

    55 ns

  • I/O类型

    COMMON

  • 待机电压-最小值

    2V

  • 备用内存宽度

    8

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Renesas Electronics America R1WV6416RSD-5SI#S0.

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右边的3个型号有着和Renesas Electronics America & R1WV6416RSD-5SI#S0相似的参数规格。

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R1WV6416RSD-5SI#S0拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-5SI#B0
R1LP0408DSP-5SI#B0

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71V416S12PHGI
71V416S12PHGI

Renesas Electronics America Inc.

R1LP0408DSP-5SI#S0
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Renesas Electronics America

71V256SA15PZGI8
71V256SA15PZGI8

Renesas Electronics America Inc.

IDT71V256SA15PZ
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Renesas Electronics America Inc.

R1LV0108ESN-5SI#B0
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Renesas Electronics America

71V416S15PHGI8
71V416S15PHGI8

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RMLV0408EGSB-4S2#AA1
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Renesas Electronics America

R1LV0408DSB-5SI#B0
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