Renesas Electronics America R1WV6416RSD-5SI#S0
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R1WV6416RSD-5SI#S0
2038-R1WV6416RSD-5SI#S0
存储器
52-TFSOP (0.350, 8.89mm Width)
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SRAM Chip Async Single 3V 64M-Bit 8M/4M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R
1最小包装量--
R1WV6416RSD-5SI#S0详情
Renesas Electronics America R1WV6416RSD-5SI#S0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
52-TFSOP (0.350, 8.89mm Width)
表面安装
YES
引脚数
52
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Cut Tape (CT)
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
52
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
端子间距
0.4mm
引脚数量
52
资历状况
不合格
工作电源电压
3V
内存大小
64Mb 8M x 8 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
密度
64 Mb
待机电流-最大值
0.000024A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
备用内存宽度
8
RoHS状态
ROHS3 Compliant
R1WV6416RSD-5SI#S0拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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