Renesas Electronics America RQA0002DNSTB-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-DFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

15W Tc

操作温度

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

750mV @ 1mA

漏源电压 (Vdss)

16V

Vgs（最大值）

±5V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

DS 击穿电压-最小值

16V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant