Renesas Electronics America Inc 2SK2729-E

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3P

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas Electronics America Inc

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Ta)

Power Dissipation (Max)

150W (Ta)

Package Description

SC-65, TO-3P, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK2729-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.19

Part Package Code

TO-3P

Drain Current-Max (ID)

20 A

系列

-

操作温度

150°C

无铅代码

有

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

22 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

场效应管特性

-