参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
28-CDIP (0.600", 15.24mm)
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
28-CDIP
终端数量
28
厂商
Renesas Electronics America Inc
Package
Tube
Memory Types
Volatile
Product Status
活跃
Base Product Number
5962-8866202
Shipping Restrictions
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Maximum Clock Frequency
-
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Supply Voltage-Max
5.5 V
Unit Weight
1.002883 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
13
Supply Voltage-Min
4.5 V
Mounting Styles
通孔
Interface Type
Parallel
Manufacturer
Renesas Electronics
Brand
Renesas Electronics
RoHS
N
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
32000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
5962-8866202XA
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DEFENSE LOGISTICS AGENCY
Risk Rank
5.28
系列
-
操作温度
-55°C ~ 125°C (TA)
包装
Tube
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
类型
Asynchronous
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T28
资历状况
Qualified
温度等级
MILITARY
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
105 mA
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32 k x 8
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
产品类别
SRAM
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
产品类别
SRAM
组织的记忆
32K x 8
宽度
15.24 mm
高度
1.65 mm
长度
37.2 mm