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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1645.888926
10
¥1552.725402
100
¥1464.835288
500
¥1381.920078
1000
¥1303.698189
Renesas Electronics America Inc. 70V658S10DRG
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- 对比
70V658S10DRG
2038-70V658S10DRG
存储器
208-BFQFP
大陆
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IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
70V658S10DRG详情
Renesas Electronics America Inc. 70V658S10DRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-BFQFP
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
3.15V~3.45V
基本部件号
IDT70V658
内存大小
2Mb 64K x 36
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
70V658S10DRG拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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