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70V658S10DRG
70V658S10DRG

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Renesas Electronics America Inc. 70V658S10DRG

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型号

70V658S10DRG

品牌

Renesas Electronics America Inc.

utmel 编号

2038-70V658S10DRG

商品类别

存储器

封装

208-BFQFP

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

起订量

--最小包装量--

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70V658S10DRG
70V658S10DRG Renesas Electronics America Inc. IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

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70V658S10DRG详情

技术参数

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Renesas Electronics America Inc. 70V658S10DRG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    208-BFQFP

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Commercial grade

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    3.15V~3.45V

  • 基本部件号

    IDT70V658

  • 内存大小

    2Mb 64K x 36

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Renesas Electronics America Inc. 70V658S10DRG.

70V658S10DRG拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

R1LP0108ESA-5SI#B1

型号：R1LP0108ESA-5SI#B1

封装：32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width)

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封装：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

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