Renesas Electronics America Inc 8403609LA

安装类型

通孔

包装/外壳

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

表面安装

NO

引脚数

24

供应商器件包装

24-CDIP

终端数量

24

厂商

Renesas Electronics America Inc

Package

Tube

Memory Types

Volatile

Product Status

最后一次购买

Base Product Number

840360

RoHS

N

Brand

Renesas Electronics

Manufacturer

Renesas Electronics

Interface Type

Parallel

Mounting Styles

通孔

Supply Voltage-Min

4.5 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Shipping Restrictions

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Package Description

DIP, DIP24,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP24,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

8403609LA

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TELEDYNE E2V (UK) LTD

Risk Rank

5.27

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

系列

-

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

包装

Tube

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-GDIP-T24

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

内存大小

16Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

95 mA

访问时间

45 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 k x 8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

2K x 8

宽度

7.62 mm

高度

3.56 mm

长度

32.51 mm