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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.528454
10
¥3.328728
100
¥3.140306
500
¥2.962556
1000
¥2.794862
Renesas Electronics America Inc BB504CDS-TL-E
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- 对比
BB504CDS-TL-E
2038-BB504CDS-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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RF N-CHANNEL MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BB504CDS-TL-E详情
Renesas Electronics America Inc BB504CDS-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Renesas Electronics America Inc
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
20
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BB504CDS-TL-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.68
Part Package Code
SC-82
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
系列
*
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.03 A
DS 击穿电压-最小值
6 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.05 pF
最高频段
超高频段
功率增益-最小值(Gp)
17 dB
BB504CDS-TL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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