Renesas Electronics America Inc BB504MDS-TL-E

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas Electronics America Inc

Moisture Sensitivity Levels

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BB504MDS-TL-E

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Ihs Manufacturer

RENESAS TECHNOLOGY CORP

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

20

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.7

Part Package Code

SOT-143

系列

*

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

6 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

反馈上限-最大值 (Crss)

0.05 pF

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

17 dB