HIP2100EIBZ
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Renesas Electronics America Inc. HIP2100EIBZ

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型号

HIP2100EIBZ

utmel 编号

2038-HIP2100EIBZ

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HIP2100 Series 100V/2A Peak, Low Cost, High FreqHalf Bridge Driver-SOIC

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HIP2100EIBZ Renesas Electronics America Inc. HIP2100 Series 100V/2A Peak, Low Cost, High FreqHalf Bridge Driver-SOIC

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HIP2100EIBZ详情

Renesas Electronics America Inc. HIP2100EIBZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    4V 7V

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 电压 - 供电

    9V~14V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    12V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    HIP2100

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    10ns 10ns

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 接通时间

    0.045 µs

  • 闸门类型

    N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    2A 2A

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.045 µs

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    114V

  • 长度

    4.89mm

  • 座位高度(最大)

    1.68mm

  • 宽度

    3.9mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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HIP2100EIBZ拓展信息

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