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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.967648
10
¥7.51665
100
¥7.091181
500
¥6.689795
1000
¥6.311124
Renesas Electronics America Inc UPA2734GR-E2-AT
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- 对比
UPA2734GR-E2-AT
2038-UPA2734GR-E2-AT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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P-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UPA2734GR-E2-AT详情
Renesas Electronics America Inc UPA2734GR-E2-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Renesas Electronics America Inc
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSP0008DN-A8
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UPA2734GR-E2-AT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.44
Part Package Code
SOP
Drain Current-Max (ID)
7 A
系列
*
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7 A
漏极-源极导通最大电阻
0.038 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
达到SVHC
compliant
UPA2734GR-E2-AT拓展信息
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Renesas
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