Renesas Electronics America Inc UPA2811T1L-E1-AY
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UPA2811T1L-E1-AY
2038-UPA2811T1L-E1-AY
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
UPA2811T1L-E1-AY详情
Renesas Electronics America Inc UPA2811T1L-E1-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Renesas Electronics America Inc
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
HALOGEN AND ROHS COMPLIANT, THIN, HVSON-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PVSN0008JD-A8
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UPA2811T1L-E1-AY
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.8
Part Package Code
HVSON
Drain Current-Max (ID)
19 A
系列
*
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
19 A
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
36 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
52 W
达到SVHC
compliant
UPA2811T1L-E1-AY拓展信息
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