RENESAS ELECTRONICS CORP NE3512S02-T1D-A

工厂交货时间

[object Object]

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

125°C

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

附加功能

低噪音

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PQMW-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.015A

DS 击穿电压-最小值

3V

场效应管技术

HETERO-JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.165W

最高频段

KU B

功率增益-最小值(Gp)

12.5dB

RoHS状态

符合RoHS标准