RENESAS ELECTRONICS CORP NNCD18DT-T1-AT

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

20V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

0.2W

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

最大非代表峰值转速功率Dis

85W

击穿电压-最小值

16V

击穿电压-最大值

20V

RoHS状态

符合RoHS标准