RENESAS ELECTRONICS CORP NNCD7.5C

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

7.5V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

0.15W

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

最大非代表峰值转速功率Dis

85W

击穿电压-最小值

7.03V

击穿电压-最大值

7.87V

RoHS状态

符合RoHS标准