RENESAS ELECTRONICS CORP UPA650TT

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.068Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.4W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant