Renesas Electronics Corporation RQA0011DNSTB-E

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3

Drain Current-Max (ID)

3.8 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

极性/通道类型

N-CHANNEL

DS 击穿电压-最小值

16 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

15 W

反馈上限-最大值 (Crss)

4.5 pF

最高频段

超高频段