Rochester Electronics 2N5639_D75Z
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2N5639_D75Z
2071-2N5639_D75Z
晶体管 - JFET
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2N5639_D75Z详情
Rochester Electronics 2N5639_D75Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
引脚数
3
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
50 mA
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
25 mA
栅极至源极电压(Vgs)
-30 V
输入电容
10 pF
辐射硬化
无
无铅
无铅
2N5639_D75Z拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
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