Rochester Electronics BSM100GB120DN2K
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BSM100GB120DN2K
2071-BSM100GB120DN2K
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm
1最小包装量--
BSM100GB120DN2K详情
Rochester Electronics BSM100GB120DN2K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
引脚数
762
Case/Package
Module
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
元素配置
Dual
功率耗散
700 W
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
145 A
辐射硬化
无
BSM100GB120DN2K拓展信息
Rochester Electronics LLC
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