BSM100GB120DN2K
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Rochester Electronics BSM100GB120DN2K

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型号

BSM100GB120DN2K

utmel 编号

2071-BSM100GB120DN2K

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm

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BSM100GB120DN2K Rochester Electronics Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm

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BSM100GB120DN2K详情

Rochester Electronics BSM100GB120DN2K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw

  • 引脚数

    762

  • Case/Package

    Module

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5 V

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    700 W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2 kV

  • 最大集电极电流

    145 A

  • 辐射硬化

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技术文档: Rochester Electronics BSM100GB120DN2K.

BSM100GB120DN2K拓展信息

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