HM4-65162-8
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Rochester Electronics HM4-65162-8

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型号

HM4-65162-8

utmel 编号

2071-HM4-65162-8

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

- Bulk (Alt: HM4-65162-8)

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HM4-65162-8详情

Rochester Electronics HM4-65162-8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    32

  • Package Description

    QCCN, LCC32,.45X.55

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Number of Words Code

    2000

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Equivalence Code

    LCC32,.45X.55

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Access Time-Max

    90 ns

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HM4-65162-8

  • Number of Words

    2048 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    QCCN

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Harris Semiconductor

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    HARRIS SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.28

  • Usage Level

    Military grade

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    TTL兼容输入和输出

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-CQCC-N32

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.07 mA

  • 组织结构

    2KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.00004 A

  • 记忆密度

    16384 bit

  • 筛选水平

    38535Q/M;38534H;883B

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    2 V

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HM4-65162-8拓展信息

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SMTA
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