Rochester Electronics, LLC 2N3663

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8mA 10V

增益

1.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

12V

转换频率

700MHz

频率转换

2.1GHz

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

1.7pF

噪音数字(分贝类型@ f)

6.5dB @ 60MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant