Rochester Electronics, LLC FD6M043N08

安装类型

通孔

包装/外壳

EPM15

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Power-SPM™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

15

端子位置

ZIG-ZAG

Reach合规守则

unknown

引脚数量

15

JESD-30代码

R-PZIP-T15

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

148nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

65A

漏极-源极导通最大电阻

0.0043Ohm

DS 击穿电压-最小值

75V

雪崩能量等级（Eas）

681 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant