Rochester Electronics LLC FDD6296
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FDD6296
2071-FDD6296
晶体管 - 特殊用途
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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15A, 30V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
1最小包装量--
FDD6296详情
Rochester Electronics LLC FDD6296重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
包装/外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型
通孔
供应商器件包装
4-DIP
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Package Code
TO-252
Package Description
DPAK-3
Drain Current-Max (ID)
15 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
系列
WL-OCTR
操作温度
-40°C ~ 100°C
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
审批机构
CQC, cULus, cURus, UL, VDE
电压-隔离度
5000Vrms
输出类型
Triac
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
触点尾部尺寸
10mA
操作模式
增强型MOSFET
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.24V
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.0088 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
最大直流驱动电流(If)
60 mA
雪崩能量等级(Eas)
165 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
宏细胞数
无
阴极电流
257µA (Typ)
静电dV/dt(最小)
1kV/µs
延迟时间-传播
400 V
饱和电流
1
FDD6296拓展信息
Rochester Electronics LLC
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