Rochester Electronics, LLC FDZ2553N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-WFBGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.6A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e2

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

18

端子表面处理

锡银

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

18

JESD-30代码

R-PBGA-B18

资历状况

COMMERCIAL

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 9.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1299pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant