Rochester Electronics, LLC FP75R07N2E4B11BOSA1
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FP75R07N2E4B11BOSA1
2071-FP75R07N2E4B11BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT, 650V, N-CHANNEL
1最小包装量--
FP75R07N2E4B11BOSA1详情
Rochester Electronics, LLC FP75R07N2E4B11BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
75A
操作温度
-40°C~150°C
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
配置
三相逆变器
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 75A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
4.6nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FP75R07N2E4B11BOSA1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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