Rochester Electronics, LLC HGTG30N60B3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 30A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

208W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

56 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

365 ns

闸门收费

170nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

36ns/137ns

开关能量

500μJ (on), 680μJ (off)

RoHS状态

Non-RoHS Compliant