Rochester Electronics, LLC HGTP3N60A4D

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

17A

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 3A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

70W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

29ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

17.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

180 ns

闸门收费

21nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

6ns/73ns

开关能量

37μJ (on), 25μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant