HIP2100IR4ZT
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Rochester Electronics, LLC HIP2100IR4ZT

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型号

HIP2100IR4ZT

utmel 编号

2071-HIP2100IR4ZT

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

12-VFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

起订量

1最小包装量--

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HIP2100IR4ZT
HIP2100IR4ZT Rochester Electronics, LLC HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

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HIP2100IR4ZT详情

Rochester Electronics, LLC HIP2100IR4ZT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    12-VFDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    4V 7V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    12

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 电压 - 供电

    9V~14V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    12V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    12

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    10ns 10ns

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 接通时间

    0.045 µs

  • 输出峰值电流限制-名

    2A

  • 闸门类型

    N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    2A 2A

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.045 µs

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    114V

  • 长度

    4mm

  • 座位高度(最大)

    0.9mm

  • 宽度

    4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC HIP2100IR4ZT.

HIP2100IR4ZT拓展信息

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