Rochester Electronics LLC HUF75545S3ST
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HUF75545S3ST
2071-HUF75545S3ST
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
1最小包装量--
HUF75545S3ST详情
Rochester Electronics LLC HUF75545S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Capacitance tolerance
±0.25pF
Mounting
SMD
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Package Code
D2PAK
Package Description
TO-263AB, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
75 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Dielectric Strength
100 V
Max Voltage
20 V
Switching cycles (electrical)
10000 min
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
连接器类型
USB 3.1 Type-C
端子表面处理
哑光锡
电容量
2.6pF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
接头数量
6
电介质
C0G (NP0)
触点电阻
not more than 50 mOhm max
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
100 MOhm min
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-55…+85 °C
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
DS 击穿电压-最小值
80 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
额定电压
5 (DC) V
饱和电流
1
Operating voltage
50V
HUF75545S3ST拓展信息
Rochester Electronics LLC
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