Rochester Electronics, LLC MC1413DR2
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MC1413DR2
2071-MC1413DR2
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
1最小包装量--
MC1413DR2详情
Rochester Electronics, LLC MC1413DR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
7
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
16
JESD-30代码
R-PDSO-G16
资历状况
COMMERCIAL
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
7 NPN Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 350mA 2V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MC1413DR2拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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