Rochester Electronics, LLC NJX1675PDR2G
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NJX1675PDR2G
2071-NJX1675PDR2G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
1最小包装量--
NJX1675PDR2G详情
Rochester Electronics, LLC NJX1675PDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
2W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
NPN, PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz 120MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NJX1675PDR2G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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