MMBZ27VALT1G
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Rochester Electronics LLC MMBZ27VALT1G

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型号

MMBZ27VALT1G

utmel 编号

2071-MMBZ27VALT1G

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBZ27VALT1G Rochester Electronics LLC 40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBZ27VALT1G详情

Rochester Electronics LLC MMBZ27VALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • 外壳材料

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

  • Manufacturer Package Code

    CASE 318-08

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • Rep Pk反向电压-最大值

    22 V

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    40 W

  • 击穿电压-最小值

    25.65 V

  • 输出范围

    0.225 W

  • 击穿电压-最大值

    28.35 V

  • 饱和电流

    未说明

0个相似型号

技术文档: Rochester Electronics LLC MMBZ27VALT1G.

MMBZ27VALT1G拓展信息

BZX585-C15135
BZX585-C15135

Rochester Electronics

BZX884-B15315
BZX884-B15315

Rochester Electronics

BZV49-C4V3135
BZV49-C4V3135

Rochester Electronics

BZX84J-B75115
BZX84J-B75115

Rochester Electronics

BZX884-B13315
BZX884-B13315

Rochester Electronics

BZX85C30-ON
BZX85C30-ON

Rochester Electronics

BZX85C15TR5K-FS
BZX85C15TR5K-FS

Rochester Electronics

BZX585-C4V3135
BZX585-C4V3135

Rochester Electronics

1N4738ATA
1N4738ATA

Rochester Electronics

1N4749ATA
1N4749ATA

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