Rochester Electronics, LLC MUN5215DW1T1
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MUN5215DW1T1
2071-MUN5215DW1T1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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大陆
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
1最小包装量--
MUN5215DW1T1详情
Rochester Electronics, LLC MUN5215DW1T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
6
端子表面处理
锡铅
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.1A
最小直流增益(hFE)
160
集电极-发射器电压-最大值
50V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MUN5215DW1T1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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