Rochester Electronics, LLC MUN5235DW1T1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

锡铅

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻基(R1)

2.2k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

Non-RoHS Compliant