Rochester Electronics, LLC NSVB143TPDXV6T1G
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NSVB143TPDXV6T1G
2071-NSVB143TPDXV6T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
NSVB143TPDXV6T1G详情
Rochester Electronics, LLC NSVB143TPDXV6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-563
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
357mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
4.7kOhms
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NSVB143TPDXV6T1G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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