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'ntb23n03rt4'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料										厂商																Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id		操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	HTS代码	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	漏源电阻	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		NTB23N03RT4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	D²PAK	2	SILICON	25 V	OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)	Compliant	9.9 ns	Bulk	NTB23	23A (Ta)	37.5W (Tj)	Obsolete	onsemi	CASE 418AA-01, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	CASE 418AA-01	30	无	NTB23N03RT4	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.18	6 A			-55°C ~ 150°C (TJ)	Bulk		-	e0	无	Obsolete (Last Updated: 2 years ago)			锡铅	150 °C	-55 °C			MOSFET (Metal Oxide)	SINGLE	鸥翼	240	23 A		R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	增强型MOSFET	37.5 W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	45mOhm @ 6A, 10V			14.9 ns	25 V	±20V	N-CHANNEL		23 A	20 V		0.06 Ω	25 V	60 A	25 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	32 mΩ	unknown		含铅
		NTB23N03RT4	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	3	SILICON		1											e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	2	锡铅						SINGLE	鸥翼	240		30	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL				6A	0.06Ohm		60A	25V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			Non-RoHS Compliant
		NTB23N03RT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	37.5W Tj		9.9 ns	23A Ta	4.5V 10V	1			2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007		e3	yes	OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)	1 (Unlimited)	2	Tin (Sn)			8541.29.00.95	25V			鸥翼	未说明	23A	未说明	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	37.5W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	45m Ω @ 6A, 10V	225pF @ 20V	3.76nC @ 4.5V	14.9ns		±20V		2 ns	23A	20V	6A	0.06Ohm	25V	60A					符合RoHS标准	无铅
		NTB23N03RT4G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	SILICON	1	37.5W Tj				23A Ta	4.5V 10V	2V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2	哑光锡						SINGLE	鸥翼	未说明		未说明	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	45m Ω @ 6A, 10V	225pF @ 20V	3.76nC @ 4.5V		25V	±20V					6A	0.06Ohm		60A	25V				ROHS3 Compliant